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真空电子技术杂志

真空电子技术杂志部级期刊

Vacuum Electronics

主管单位:中国电子科技集团公司 主办单位:北京真空电子技术研究所

  • 审稿周期

    1个月内

  • 影响因子

    0.32

  • 发文量

    1232

  • 总被引次数

    2963

  • H指数

    17

  • 立即指数

    0.0079

  • 引用半衰期

    4.0217

  • 期刊他引率

    0.8462

  • 平均引文率

    6.4524

基本信息:
ISSN:1002-8935
CN:11-2485/TN
主编:宫玉彬
邮编:100015
出版信息:
出版地区:北京
出版周期:双月刊
出版语言:中文
创刊时间:1959
类别:电子
收录信息:
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荣誉信息:
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期刊介绍 历史收录 投稿须知 评价报告 文献分析 发文分析 期刊文献 常见问题

真空电子技术期刊介绍

《真空电子技术》是由北京真空电子技术研究所主办,中国电子科技集团公司主管的全国性电子类期刊,创刊于1959年,刊号(CN 11-2485/TN,ISSN 1002-8935),双月刊。该杂志以刊登电子科学论文、评价电子科研成果、探讨电子教学规律、传播电子教学经验、开展电子学术讨论、报道电子研究动态、提供国内外电子信息为主旨,引领电子前沿和热难点问题研究,助电子经学者成长。该刊级别为部级期刊,欢迎广大读者订阅。

《真空电子技术》期刊栏目主要有:综述 空间电推进专辑 理论与设计 工艺研究 整管研制

真空电子技术历史收录情况

  • 北大核心期刊(1992版)

真空电子技术投稿须知

(1)每篇文章皆需500字以内“内容提要”以及关键词3-5个。

(2)凡投稿在1个月内未收到编辑部采用通知者,可自行处理。来稿一律不退,请作者自留底稿或做好备份。

(3)请将注释置于每页地角,注释顺序用①②……表示;参考文献置于文末,著录顺序用[1][2]……表示。

(4)论文要有摘要、关键词,注释采用脚注形式,论文文件标题格式为:姓名+单位+论文题目,文后附个人简历。

(5)文中小标题一般分为三级,第一级标题用“一、”、“二、”、“三、”标示;第二级标题用“1.”、“2.”、“3.”标示,第三级标题用“(1)”、“(2)”、“(3)”标示,每级标题序号前均空两格。

真空电子技术期刊评价报告

年度 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022
影响因子 225 242 298 233 297 317 296 340
立即指数 0.16 0.16 0.26 0.15 0.22 0.33 0.32 0.38
发文量 0.05 0.02 0.02 0.02 0.03 0.02 0.03 0.05
引用半衰期 7.8 7.7 8.5 12.6 14.3 16.7 15.4 15.5
被引半衰期 0.8 0.8 0.75 0.84 0.71 0.74 0.73 0.71
被引次数 110 106 104 89 95 88 89 101
期刊他引率 5.78 6.71 6.63 7.14 6.39 5.94 6.61 6.44
平均引文率 8.5 8.22 8.41 7.23 7.66 7.79 5.72 6.81

真空电子技术文献分析

1、主要引证文献期刊分析

序号 期刊 涉及文献量
1 《强激光与粒子束》 153
2 《真空科学与技术学报》 150
3 《真空》 72
4 《材料导报》 69
5 《微波学报》 63
6 《电子器件》 54
7 《太赫兹科学与电子信息学报》 53
8 《硅酸盐通报》 39
9 《陶瓷学报》 35
10 《中国陶瓷》 35

2、主要参考文献期刊分析

序号 期刊 涉及文献量
1 《强激光与粒子束》 177
2 《真空科学与技术学报》 102
3 《物理学报》 82
4 《电子学报》 71
5 《硅酸盐学报》 49
6 《真空科学与技术》 48
7 《真空》 47
8 《微波学报》 43
9 《电子与信息学报》 41
10 《材料导报》 39

真空电子技术主要发文机构分析

序号 机构名称 发文量 相关发文主题
1 北京真空电子技术研究所 700 行波管;陶瓷;速调管;功率;毫米波
2 电子科技大学 290 行波管;太赫兹;赫兹;磁控管;慢波
3 西安交通大学 190 显示器;等离子体显示;等离子体显示器;真空灭弧;真空灭弧室
4 中国科学院电子学研究所 135 速调管;行波管;多注;多注速调管;阴极
5 东南大学 99 行波管;慢波;场致发射;电子枪;慢波结构
6 四川大学 76 微波加热;微波;微波等离子体;端口;等离子体
7 中国电子科技集团公司第十二研究所 66 行波管;功率;折叠波导;大功率;通信
8 南京电子器件研究所 48 显示器;显示器件;光电;液晶;液晶显示
9 清华大学 43 纳米;场发射;碳纳米管;陶瓷;纳米管
10 中国科学院 42 陶瓷;氮化;导热;无压烧结;流延

真空电子技术期刊文献

  • 覆铜氮化铝陶瓷基板失效机理分析 作者:张珊珊; 杨理航; 王燕斌; 颜鲁春; 高克玮; 万晓玲; 张雷; 杨会生;北京科技大学材料科学与工程学院; 北京100083; 北京科技大学化学与生物工程学院; 北京100083
  • 大功率高可靠电子封装研究发展趋势 作者:陈寰贝; 王子良; 庞学满; 程凯;中国电子科技集团公司第五十五研究所; 江苏南京210016
  • 高导热氮化硅陶瓷基板材料研究现状 作者:郑彧; 童亚琦; 张伟儒;北京中材人工晶体研究院有限公司; 北京100018
  • 高导热氮化硅陶瓷的低成本制备和性能研究 作者:张景贤; 段于森; 江东亮; 杨建; 冯永宝; 李晓云; 丘泰;中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室; 上海200050; 中国科学院上海硅酸盐研究所苏州研究院; 江苏太仓215400; 南京工业大学材料科学与工程学院; 江苏南京210009
  • 带圆弧面斜T型氮化硼夹持杆的加工工艺 作者:董笑瑜; 吴亚琴; 朱军方; 刘俊; 姚建波; 李林;南京三乐集团有限公司; 江苏南京211800
  • 高密度热解氮化硼材料的制备及性能表征 作者:张佳伟; 刘汝强; 赵旭荣; 吴思华; 王殿春;山东国晶新材料有限公司; 山东禹城251200
  • 特种陶瓷高温工程节能中的关键材料技术 作者:陈涵; 郭露村;南京工业大学材料科学与工程学院; 江苏南京210009
  • 空间行波管放大器微小放电对策的初步研究 作者:冯昱嘉; 梁英; 冯西贤;中国空间技术研究院西安分院空间微波技术研究所; 陕西西安710100

投稿常见问题

,地址:北京市朝阳区酒仙桥路13号,邮编:100015。