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Advanced Electronic MaterialsSCIE

国际简称：ADV ELECTRON MATER 参考译名：先进电子材料

中科院分区
2区
CiteScore分区
Q1
JCR分区
Q1

基本信息：: ISSN：2199-160X; E-ISSN：2199-160X; 是否OA：未开放; 是否预警：否; TOP期刊：是

出版信息：: 出版地区：GERMANY; 出版商：Wiley-VCH Verlag; 出版语言：English; 出版周期：12 issues/year; 出版年份：2015; 研究方向：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGYMATERIALS SCIE-MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY

评价信息：: 影响因子：5.3; H-index：33; CiteScore指数：11; SJR指数：1.689; SNIP指数：1.154

发文数据：: Gold OA文章占比：47.14%; 研究类文章占比：94.34%; 年发文量：389; 自引率：0.0322...; 开源占比：0.2053; 出版撤稿占比：0; 出版国人文章占比：0.32; OA被引用占比：0.0666...

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英文简介期刊介绍 CiteScore数据中科院SCI分区 JCR分区发文数据常见问题

英文简介Advanced Electronic Materials期刊介绍

Advanced Electronic Materials is an interdisciplinary forum for peer-reviewed, high-quality, high-impact research in the fields of materials science, physics, and engineering of electronic and magnetic materials. It includes research on physics and physical properties of electronic and magnetic materials, spintronics, electronics, device physics and engineering, micro- and nano-electromechanical systems, and organic electronics, in addition to fundamental research.

期刊简介Advanced Electronic Materials期刊介绍

《Advanced Electronic Materials》自2015出版以来，是一本材料科学优秀杂志。致力于发表原创科学研究结果，并为材料科学各个领域的原创研究提供一个展示平台，以促进材料科学领域的的进步。该刊鼓励先进的、清晰的阐述，从广泛的视角提供当前感兴趣的研究主题的新见解，或审查多年来某个重要领域的所有重要发展。该期刊特色在于及时报道材料科学领域的最新进展和新发现新突破等。该刊近一年未被列入预警期刊名单，目前已被权威数据库SCIE收录，得到了广泛的认可。

该期刊投稿重要关注点：

预计审稿时间： 10 Weeks
国际TOP期刊
材料科学
PHYSICS, APPLIED
SCIE
中科院2区
非预警

Cite Score数据（2024年最新版）Advanced Electronic Materials Cite Score数据

CiteScore：11
SJR：1.689
SNIP：1.154

学科类别	分区	排名	百分位
大类：Materials Science 小类：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q1	36 / 284	87%

CiteScore 是由Elsevier(爱思唯尔)推出的另一种评价期刊影响力的文献计量指标。反映出一家期刊近期发表论文的年篇均引用次数。CiteScore以Scopus数据库中收集的引文为基础，针对的是前四年发表的论文的引文。CiteScore的意义在于，它可以为学术界提供一种新的、更全面、更客观地评价期刊影响力的方法，而不仅仅是通过影响因子(IF)这一单一指标来评价。

历年Cite Score趋势图

中科院SCI分区Advanced Electronic Materials 中科院分区

中科院 2023年12月升级版 综述期刊：否 Top期刊：否

大类学科	分区	小类学科	分区
材料科学	2区	PHYSICS, APPLIED 物理：应用 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学：综合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技	2区 3区 3区

中科院分区表 是以客观数据为基础，运用科学计量学方法对国际、国内学术期刊依据影响力进行等级划分的期刊评价标准。它为我国科研、教育机构的管理人员、科研工作者提供了一份评价国际学术期刊影响力的参考数据，得到了全国各地高校、科研机构的广泛认可。

中科院分区表 将所有期刊按照一定指标划分为1区、2区、3区、4区四个层次，类似于“优、良、及格”等。最开始，这个分区只是为了方便图书管理及图书情报领域的研究和期刊评估。之后中科院分区逐步发展成为了一种评价学术期刊质量的重要工具。

历年中科院分区趋势图

JCR分区Advanced Electronic Materials JCR分区

2023-2024 年最新版

按JIF指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY	SCIE	Q2	122 / 438	72.3%
学科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY	SCIE	Q2	46 / 140	67.5%
学科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q1	42 / 179	76.8%

按JCI指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY	SCIE	Q2	126 / 438	71.35%
学科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY	SCIE	Q2	46 / 140	67.5%
学科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q2	48 / 179	73.46%

JCR分区的优势在于它可以帮助读者对学术文献质量进行评估。不同学科的文章引用量可能存在较大的差异，此时单独依靠影响因子(IF)评价期刊的质量可能是存在一定问题的。因此，JCR将期刊按照学科门类和影响因子分为不同的分区，这样读者可以根据自己的研究领域和需求选择合适的期刊。

历年影响因子趋势图

发文数据

2023-2024 年国家/地区发文量统计

国家/地区数量
CHINA MAINLAND498
USA215
South Korea156
GERMANY (FED REP GER)116
Japan62
England57
Italy43
Singapore38
Australia35
France33

本刊中国学者近年发表论文

1、High-kappa and High-Temperature Dipolar Glass Polymers Based on Sulfonylated and Cyanolated Poly(Arylene Ether)s for Capacitive Energy Storage
Author: Huang, Wen; Ju, Tianxiong; Li, Ruipeng; Duan, Yajun; Duan, Yanan; Wei, Junji; Zhu, Lei

Journal: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2023; Vol. 9, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1002/aelm.202200414
2、Design Strategies for Strain-Insensitive Wearable Healthcare Sensors and Perspective Based on the Seebeck Coefficient
Author: Xin, Yangyang; Zhou, Jian; Nesser, Hussein; Lubineau, Gilles

Journal: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2023; Vol. 9, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1002/aelm.202200534
3、Novel Dielectric Nanogranular Materials with an Electrically Tunable Frequency Response
Author: Cao, Yang; Kobayashi, Nobukiyo; Wang, Cheng; Takahashi, Saburo; Maekawa, Sadamichi; Masumoto, Hiroshi

Journal: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2023; Vol. , Issue , pp. -. DOI: 10.1002/aelm.202201218
4、Electrical Detection of Magnetic Skyrmions in a Magnetic Tunnel Junction
Author: Guang, Yao; Zhang, Like; Zhang, Junwei; Wang, Yadong; Zhao, Yuelei; Tomasello, Riccardo; Zhang, Senfu; He, Bin; Li, Jiahui; Liu, Yizhou; Feng, Jiafeng; Wei, Hongxiang; Carpentieri, Mario; Hou, Zhipeng; Liu, Junming; Peng, Yong; Zeng, Zhongming; Finocchio, Giovanni; Zhang, Xixiang; Coey, John Michael David; Han, Xiufeng; Yu, Guoqiang

Journal: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2023; Vol. 9, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1002/aelm.202200570
5、Electrically Tuning Interfacial Ion Redistribution for mica/WSe2 Memory Transistor
Author: Yang, Zhihao; Wang, Dong; Wang, Shaoyuan; Tan, Chao; Yang, Lei; Wang, Zegao

Journal: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2023; Vol. 9, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1002/aelm.202200679
6、Spatiotemporal Modulation of Plasticity in Multi-Terminal Tactile Synaptic Transistor
Author: Mo, Wen-Ai; Ding, Guanglong; Nie, Zihao; Feng, Zihao; Zhou, Kui; Chen, Ruo-Si; Xie, Peng; Shang, Gang; Han, Su-Ting; Zhou, Ye

Journal: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2023; Vol. 9, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1002/aelm.202200733
7、Large and Tunable Magnetoresistance in Cr1-xTe/Al2O3/Cr1-xTe Vertical Spin Valve Device
Author: Gao, Zhansheng; Chen, Jiabiao; Zhang, Zheshan; Liu, Zhaochao; Zhang, Yu; Xu, Lingyun; Wu, Jinxiong; Luo, Feng

Journal: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2023; Vol. 9, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1002/aelm.202200823
8、Synergistically Enhanced Performance and Reliability of Abrupt Metal-Oxide Heterojunction Transistor
Author: Wang, Pengfei; Yang, Huan; Li, Jiye; Zhang, Xiaohui; Wang, Lei; Xiao, Juncheng; Zhao, Bin; Zhang, Shengdong; Lu, Lei

Journal: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2023; Vol. 9, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1002/aelm.202200807