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Semiconductors

SemiconductorsSCIE

国际简称:SEMICONDUCTORS+  参考译名:半导体

  • 中科院分区

    4区

  • CiteScore分区

    Q4

  • JCR分区

    Q4

基本信息:
ISSN:1063-7826
E-ISSN:1090-6479
是否OA:未开放
是否预警:否
TOP期刊:否
出版信息:
出版地区:RUSSIA
出版商:Pleiades Publishing
出版语言:English
出版周期:Monthly
出版年份:1997
研究方向:物理-物理:凝聚态物理
评价信息:
影响因子:0.6
H-index:37
CiteScore指数:1.5
SJR指数:0.173
SNIP指数:0.314
发文数据:
Gold OA文章占比:0.00%
研究类文章占比:100.00%
年发文量:90
自引率:0.2857...
开源占比:0
出版撤稿占比:0
出版国人文章占比:0
OA被引用占比:0
英文简介 期刊介绍 CiteScore数据 中科院SCI分区 JCR分区 发文数据 常见问题

英文简介Semiconductors期刊介绍

Publishes the most important work in semiconductor research in the countries of the former Soviet Union. Covers semiconductor theory, transport phenomena in semiconductors, optics, magnetooptics, and electrooptics of semiconductors, semiconductor lasers and semiconductor surface physics. The journal features an extensive book review section.

期刊简介Semiconductors期刊介绍

《Semiconductors》自1997出版以来,是一本物理与天体物理优秀杂志。致力于发表原创科学研究结果,并为物理与天体物理各个领域的原创研究提供一个展示平台,以促进物理与天体物理领域的的进步。该刊鼓励先进的、清晰的阐述,从广泛的视角提供当前感兴趣的研究主题的新见解,或审查多年来某个重要领域的所有重要发展。该期刊特色在于及时报道物理与天体物理领域的最新进展和新发现新突破等。该刊近一年未被列入预警期刊名单,目前已被权威数据库SCIE收录,得到了广泛的认可。

该期刊投稿重要关注点:

Cite Score数据(2024年最新版)Semiconductors Cite Score数据

  • CiteScore:1.5
  • SJR:0.173
  • SNIP:0.314
学科类别 分区 排名 百分位
大类:Materials Science 小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q4 222 / 284

22%

大类:Materials Science 小类:Condensed Matter Physics Q4 340 / 434

21%

大类:Materials Science 小类:Atomic and Molecular Physics, and Optics Q4 176 / 224

21%

CiteScore 是由Elsevier(爱思唯尔)推出的另一种评价期刊影响力的文献计量指标。反映出一家期刊近期发表论文的年篇均引用次数。CiteScore以Scopus数据库中收集的引文为基础,针对的是前四年发表的论文的引文。CiteScore的意义在于,它可以为学术界提供一种新的、更全面、更客观地评价期刊影响力的方法,而不仅仅是通过影响因子(IF)这一单一指标来评价。

历年Cite Score趋势图

中科院SCI分区Semiconductors 中科院分区

中科院 2023年12月升级版 综述期刊:否 Top期刊:否
大类学科 分区 小类学科 分区
物理与天体物理 4区 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚态物理 4区

中科院分区表 是以客观数据为基础,运用科学计量学方法对国际、国内学术期刊依据影响力进行等级划分的期刊评价标准。它为我国科研、教育机构的管理人员、科研工作者提供了一份评价国际学术期刊影响力的参考数据,得到了全国各地高校、科研机构的广泛认可。

中科院分区表 将所有期刊按照一定指标划分为1区、2区、3区、4区四个层次,类似于“优、良、及格”等。最开始,这个分区只是为了方便图书管理及图书情报领域的研究和期刊评估。之后中科院分区逐步发展成为了一种评价学术期刊质量的重要工具。

历年中科院分区趋势图

JCR分区Semiconductors JCR分区

2023-2024 年最新版
按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q4 74 / 79

7%

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q4 74 / 79

6.96%

JCR分区的优势在于它可以帮助读者对学术文献质量进行评估。不同学科的文章引用量可能存在较大的差异,此时单独依靠影响因子(IF)评价期刊的质量可能是存在一定问题的。因此,JCR将期刊按照学科门类和影响因子分为不同的分区,这样读者可以根据自己的研究领域和需求选择合适的期刊。

历年影响因子趋势图

本刊中国学者近年发表论文

  • 1、Aligned arrays of zinc oxide nanorods on silicon substrates

    Author: A. N. Redkin, M. V. Ryzhova, E. E. Yakimov, A. N. Gruzintsev

    Journal: SEMICONDUCTORS, 2013, Vol.47, 252-258, DOI:10.1134/s1063782613020176

  • 2、Procedure for calculating the field-emission current from a single carbon nanotube

    Author: S. V. Bulyarskii, A. V. Lakalin, A. S. Basaev

    Journal: SEMICONDUCTORS, 2013, Vol.47, 1692-1696, DOI:10.1134/s1063782613130058

  • 3、Study of heterostructures with a combined In(Ga)As/GaAs quantum dot/quantum well layer and a Mn δ layer

    Author: E. D. Pavlova, A. P. Gorshkov, A. I. Bobrov, N. V. Malekhonova, B. N. Zvonkov

    Journal: SEMICONDUCTORS, 2013, Vol.47, 1591-1594, DOI:10.1134/s1063782613120166

  • 4、Charge transport mechanisms in Schottky diodes based on low-resistance CdTe:Mn

    Author: L. A. Kosyachenko, N. S. Yurtsenyuk, I. M. Rarenko, V. M. Sklyarchuk, O. F. Sklyarchuk, Z. I. Zakharuk, E. V. Grushko

    Journal: SEMICONDUCTORS, 2013, Vol.47, 916-924, DOI:10.1134/s1063782613070129

  • 5、Characterization of defects in colloidal CdSe nanocrystals by the modified thermostimulated luminescence technique

    Author: A. V. Katsaba, V. V. Fedyanin, S. A. Ambrozevich, A. G. Vitukhnovsky, A. N. Lobanov, A. S. Selyukov, R. B. Vasiliev, I. G. Samatov, P. N. Brunkov

    Journal: SEMICONDUCTORS, 2013, Vol.47, 1328-1332, DOI:10.1134/s1063782613100138

  • 6、Growth model of silicon nanoislands on sapphire

    Author: N. O. Krivulin, D. A. Pavlov, P. A. Shilyaev

    Journal: SEMICONDUCTORS, 2013, Vol.47, 1595-1597, DOI:10.1134/s1063782613120117

  • 7、Picosecond internal Q-switching mode correlates with laser diode breakdown voltage

    Author: B. Lanz, S. N. Vainshtein, V. M. Lantratov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, J. T. Kostamovaara

    Journal: SEMICONDUCTORS, 2013, Vol.47, 406-408, DOI:10.1134/s1063782613030159

  • 8、Photoconductivity of composite structures based on porous SnO2 sensitized with CdSe nanocrystals

    Author: K. A. Drozdov, V. I. Kochnev, A. A. Dobrovolsky, R. B. Vasiliev, A. V. Babynina, M. N. Rumyantseva, A. M. Gaskov, L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov

    Journal: SEMICONDUCTORS, 2013, Vol.47, 383-386, DOI:10.1134/s106378261303007x

投稿常见问题

通讯方式:MAIK NAUKA/INTERPERIODICA/SPRINGER, 233 SPRING ST, NEW YORK, USA, NY, 10013-1578。