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Semiconductor Science And Technology

Semiconductor Science And TechnologySCIE

国际简称:SEMICOND SCI TECH  参考译名:半导体科技

  • 中科院分区

    4区

  • CiteScore分区

    Q2

  • JCR分区

    Q3

基本信息:
ISSN:0268-1242
E-ISSN:1361-6641
是否OA:未开放
是否预警:否
TOP期刊:否
出版信息:
出版地区:ENGLAND
出版商:IOP Publishing Ltd.
出版语言:English
出版周期:Monthly
出版年份:1986
研究方向:工程技术-材料科学:综合
评价信息:
影响因子:1.9
H-index:99
CiteScore指数:4.3
SJR指数:0.411
SNIP指数:0.741
发文数据:
Gold OA文章占比:10.23%
研究类文章占比:95.85%
年发文量:193
自引率:0.0526...
开源占比:0.0715
出版撤稿占比:0
出版国人文章占比:0.19
OA被引用占比:0.0493...
英文简介 期刊介绍 CiteScore数据 中科院SCI分区 JCR分区 发文数据 常见问题

英文简介Semiconductor Science And Technology期刊介绍

Devoted to semiconductor research, Semiconductor Science and Technology's multidisciplinary approach reflects the far-reaching nature of this topic.

The scope of the journal covers fundamental and applied experimental and theoretical studies of the properties of non-organic, organic and oxide semiconductors, their interfaces and devices, including:

fundamental properties

materials and nanostructures

devices and applications

fabrication and processing

new analytical techniques

simulation

emerging fields:

materials and devices for quantum technologies

hybrid structures and devices

2D and topological materials

metamaterials

semiconductors for energy

flexible electronics.

期刊简介Semiconductor Science And Technology期刊介绍

《Semiconductor Science And Technology》自1986出版以来,是一本工程技术优秀杂志。致力于发表原创科学研究结果,并为工程技术各个领域的原创研究提供一个展示平台,以促进工程技术领域的的进步。该刊鼓励先进的、清晰的阐述,从广泛的视角提供当前感兴趣的研究主题的新见解,或审查多年来某个重要领域的所有重要发展。该期刊特色在于及时报道工程技术领域的最新进展和新发现新突破等。该刊近一年未被列入预警期刊名单,目前已被权威数据库SCIE收录,得到了广泛的认可。

该期刊投稿重要关注点:

Cite Score数据(2024年最新版)Semiconductor Science And Technology Cite Score数据

  • CiteScore:4.3
  • SJR:0.411
  • SNIP:0.741
学科类别 分区 排名 百分位
大类:Engineering 小类:Electrical and Electronic Engineering Q2 305 / 797

61%

大类:Engineering 小类:Condensed Matter Physics Q2 167 / 434

61%

大类:Engineering 小类:Materials Chemistry Q2 137 / 317

56%

大类:Engineering 小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 126 / 284

55%

CiteScore 是由Elsevier(爱思唯尔)推出的另一种评价期刊影响力的文献计量指标。反映出一家期刊近期发表论文的年篇均引用次数。CiteScore以Scopus数据库中收集的引文为基础,针对的是前四年发表的论文的引文。CiteScore的意义在于,它可以为学术界提供一种新的、更全面、更客观地评价期刊影响力的方法,而不仅仅是通过影响因子(IF)这一单一指标来评价。

历年Cite Score趋势图

中科院SCI分区Semiconductor Science And Technology 中科院分区

中科院 2023年12月升级版 综述期刊:否 Top期刊:否
大类学科 分区 小类学科 分区
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚态物理 4区 4区 4区

中科院分区表 是以客观数据为基础,运用科学计量学方法对国际、国内学术期刊依据影响力进行等级划分的期刊评价标准。它为我国科研、教育机构的管理人员、科研工作者提供了一份评价国际学术期刊影响力的参考数据,得到了全国各地高校、科研机构的广泛认可。

中科院分区表 将所有期刊按照一定指标划分为1区、2区、3区、4区四个层次,类似于“优、良、及格”等。最开始,这个分区只是为了方便图书管理及图书情报领域的研究和期刊评估。之后中科院分区逐步发展成为了一种评价学术期刊质量的重要工具。

历年中科院分区趋势图

JCR分区Semiconductor Science And Technology JCR分区

2023-2024 年最新版
按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 211 / 352

40.2%

学科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 301 / 438

31.4%

学科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q3 50 / 79

37.3%

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 238 / 354

32.91%

学科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 293 / 438

33.22%

学科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q3 51 / 79

36.08%

JCR分区的优势在于它可以帮助读者对学术文献质量进行评估。不同学科的文章引用量可能存在较大的差异,此时单独依靠影响因子(IF)评价期刊的质量可能是存在一定问题的。因此,JCR将期刊按照学科门类和影响因子分为不同的分区,这样读者可以根据自己的研究领域和需求选择合适的期刊。

历年影响因子趋势图

发文数据

2023-2024 年国家/地区发文量统计
  • 国家/地区数量
  • CHINA MAINLAND257
  • USA139
  • India121
  • GERMANY (FED REP GER)95
  • South Korea90
  • England64
  • Japan64
  • France55
  • Russia52
  • Taiwan31

本刊中国学者近年发表论文

  • 1、Sub-band gap infrared absorption in Si implanted with Mg

    Author: Wang, Mao; Shaikh, M. S.; Kentsch, U.; Heller, R.; Zhou, Shengqiang

    Journal: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 38, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1361-6641/aca3ca

  • 2、Emission and capture characteristics of electron trap (E-emi=0.8 eV) in Si-doped beta-Ga2O3 epilayer

    Author: Qu, Haolan; Chen, Jiaxiang; Zhang, Yu; Sui, Jin; Gu, Yitian; Deng, Yuxin; Su, Danni; Zhang, Ruohan; Lu, Xing; Zou, Xinbo

    Journal: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 38, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1361-6641/aca045

  • 3、Straightforward synthesis and mechanism insight of TiO2/a'-AgVO3 heterostructure with enhanced photocatalytic activity

    Author: Liu, Yangbin; Liu, Nian; Lin, Minghua; Zhou, Yun; Ouyang, Xiaoping

    Journal: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 38, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1361-6641/aca625

  • 4、The interplay of process parameters and influence on the AlN films on sapphire fabricated by DC magnetron sputtering and annealing

    Author: Liu, Huan; Guo, Wei

    Journal: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 38, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1361-6641/aca8ca

  • 5、Low-temperature in situ deposited CuI-based hole-transporter for perovskite solar cells efficiency enhancement

    Author: Li, Hang; Fu, Chao; Shi, Lei; Li, Chaorong; Pan, Jiaqi; Zhang, Wenjun

    Journal: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 38, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1361-6641/aca3c9

  • 6、Design of the GaN based CAVET with SiO2-InGaN hybrid current blocking layer

    Author: Li, Haiou; Kang, Dongxu; Qu, Kangchun; Liu, Xingpeng; Wan, Rongqiao

    Journal: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 38, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1361-6641/aca626

  • 7、In-situ deposition of tungsten oxide hole-contact by Hot-Wire CVD and its application in dopant-free heterojunction solar cells

    Author: Guo, Cong; Li, Junjun; Liu, Run; Zhang, Dongdong; Qiu, Junyang; Zhuang, Zihan; Chen, Yang; Qiu, Qingqing; Liu, Wenzhu; Huang, Yuelong; Yu, Jian; Chen, Tao

    Journal: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 38, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1361-6641/aca5ac

  • 8、Investigation of thermal stability and crystallization mechanism of Er-0.03(GeTe)(0.97) phase change material

    Author: Gu, Han; Wu, Weihua; Xu, Shengqing; Zhou, Xiaochen; Shen, Bo; Zhai, Jiwei

    Journal: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 38, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1361-6641/aca520

投稿常见问题

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