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Opto-electronics Review

Opto-electronics ReviewSCIE

国际简称:OPTO-ELECTRON REV  参考译名:光电评论

  • 中科院分区

    4区

  • CiteScore分区

    Q3

  • JCR分区

    Q3

基本信息:
ISSN:1230-3402
E-ISSN:1896-3757
是否OA:未开放
是否预警:否
TOP期刊:否
出版信息:
出版地区:POLAND
出版商:Versita
出版语言:English
出版周期:Quarterly
出版年份:2006
研究方向:工程技术-工程:电子与电气
评价信息:
影响因子:1.3
H-index:38
CiteScore指数:1.9
SJR指数:0.267
SNIP指数:0.525
发文数据:
Gold OA文章占比:9.52%
研究类文章占比:94.55%
年发文量:55
自引率:0.125
开源占比:0
出版撤稿占比:0
出版国人文章占比:0.01
OA被引用占比:0
英文简介 期刊介绍 CiteScore数据 中科院SCI分区 JCR分区 发文数据 常见问题

英文简介Opto-electronics Review期刊介绍

Opto-Electronics Review is peer-reviewed and quarterly published by the Polish Academy of Sciences (PAN) and the Association of Polish Electrical Engineers (SEP) in electronic version. It covers the whole field of theory, experimental techniques, and instrumentation and brings together, within one journal, contributions from a wide range of disciplines. The scope of the published papers includes any aspect of scientific, technological, technical and industrial works concerning generation, transmission, transformation, detection and application of light and other forms of radiative energy whose quantum unit is photon. Papers covering novel topics extending the frontiers in optoelectronics or photonics are very encouraged.

It has been established for the publication of high quality original papers from the following fields:

Optical Design and Applications,

Image Processing

Metamaterials,

Optoelectronic Materials,

Micro-Opto-Electro-Mechanical Systems,

Infrared Physics and Technology,

Modelling of Optoelectronic Devices, Semiconductor Lasers

Technology and Fabrication of Optoelectronic Devices,

Photonic Crystals,

Laser Physics, Technology and Applications,

Optical Sensors and Applications,

Photovoltaics,

Biomedical Optics and Photonics

期刊简介Opto-electronics Review期刊介绍

《Opto-electronics Review》自2006出版以来,是一本工程技术优秀杂志。致力于发表原创科学研究结果,并为工程技术各个领域的原创研究提供一个展示平台,以促进工程技术领域的的进步。该刊鼓励先进的、清晰的阐述,从广泛的视角提供当前感兴趣的研究主题的新见解,或审查多年来某个重要领域的所有重要发展。该期刊特色在于及时报道工程技术领域的最新进展和新发现新突破等。该刊近一年未被列入预警期刊名单,目前已被权威数据库SCIE收录,得到了广泛的认可。

该期刊投稿重要关注点:

Cite Score数据(2024年最新版)Opto-electronics Review Cite Score数据

  • CiteScore:1.9
  • SJR:0.267
  • SNIP:0.525
学科类别 分区 排名 百分位
大类:Physics and Astronomy 小类:Radiation Q3 35 / 58

40%

大类:Physics and Astronomy 小类:Electrical and Electronic Engineering Q3 518 / 797

35%

大类:Physics and Astronomy 小类:General Materials Science Q3 327 / 463

29%

CiteScore 是由Elsevier(爱思唯尔)推出的另一种评价期刊影响力的文献计量指标。反映出一家期刊近期发表论文的年篇均引用次数。CiteScore以Scopus数据库中收集的引文为基础,针对的是前四年发表的论文的引文。CiteScore的意义在于,它可以为学术界提供一种新的、更全面、更客观地评价期刊影响力的方法,而不仅仅是通过影响因子(IF)这一单一指标来评价。

历年Cite Score趋势图

中科院SCI分区Opto-electronics Review 中科院分区

中科院 2023年12月升级版 综述期刊:否 Top期刊:否
大类学科 分区 小类学科 分区
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 OPTICS 光学 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区 4区 4区

中科院分区表 是以客观数据为基础,运用科学计量学方法对国际、国内学术期刊依据影响力进行等级划分的期刊评价标准。它为我国科研、教育机构的管理人员、科研工作者提供了一份评价国际学术期刊影响力的参考数据,得到了全国各地高校、科研机构的广泛认可。

中科院分区表 将所有期刊按照一定指标划分为1区、2区、3区、4区四个层次,类似于“优、良、及格”等。最开始,这个分区只是为了方便图书管理及图书情报领域的研究和期刊评估。之后中科院分区逐步发展成为了一种评价学术期刊质量的重要工具。

历年中科院分区趋势图

JCR分区Opto-electronics Review JCR分区

2023-2024 年最新版
按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 264 / 352

25.1%

学科:OPTICS SCIE Q3 88 / 119

26.5%

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 141 / 179

21.5%

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 278 / 354

21.61%

学科:OPTICS SCIE Q4 100 / 120

17.08%

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 145 / 179

19.27%

JCR分区的优势在于它可以帮助读者对学术文献质量进行评估。不同学科的文章引用量可能存在较大的差异,此时单独依靠影响因子(IF)评价期刊的质量可能是存在一定问题的。因此,JCR将期刊按照学科门类和影响因子分为不同的分区,这样读者可以根据自己的研究领域和需求选择合适的期刊。

历年影响因子趋势图

发文数据

2023-2024 年国家/地区发文量统计
  • 国家/地区数量
  • Poland52
  • India22
  • Russia11
  • Ukraine6
  • Iran4
  • France3
  • GERMANY (FED REP GER)3
  • Japan3
  • CHINA MAINLAND2
  • Canada2

本刊中国学者近年发表论文

  • 1、Electro-optic coefficients of a non-congruent lithium niobate fabricated by vapour transport equilibration: Composition effect

    Author: J.-Q. Xu, W.-Y. Du, Q. Sun, W.-H. Wong, D.-Y. Yu, E.Y.-B. Pun, D.-L. Zhang

    Journal: OPTO-ELECTRONICS REVIEW, 2017, Vol.25, 89-92, DOI:10.1016/j.opelre.2017.04.001

  • 2、Side-pumped neodymium laser with self-adaptive, nonreciprocal cavity

    Author: phmshxu

    Journal: OPTO-ELECTRONICS REVIEW, 2016.

  • 3、Internal quantum efficiency improvement of InGaN/GaN multiple quantum well green light-emitting diodes

    Author: phmshxu

    Journal: OPTO-ELECTRONICS REVIEW, 2016.

  • 4、Internal quantum efficiency improvement of InGaN/GaN multiple quantum well green light-emitting diodes

    Author: phmshxu

    Journal: OPTO-ELECTRONICS REVIEW, 2016.

投稿常见问题

通讯方式:VERSITA, SOLIPSKA 14A-1, WARSAW, POLAND, 02-482。