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Microelectronics InternationalSCIE

国际简称：MICROELECTRON INT 参考译名：微电子国际

中科院分区
4区
CiteScore分区
Q3
JCR分区
Q4

基本信息：: ISSN：1356-5362; E-ISSN：1758-812X; 是否OA：混合; 是否预警：否; TOP期刊：否

出版信息：: 出版地区：ENGLAND; 出版商：Emerald Group Publishing Ltd.; 出版语言：English; 出版周期：Tri-annual; 出版年份：1982; 研究方向：工程技术-材料科学：综合

评价信息：: 影响因子：0.7; H-index：19; CiteScore指数：1.9; SJR指数：0.188; SNIP指数：0.354

发文数据：: Gold OA文章占比：1.10%; 研究类文章占比：100.00%; 年发文量：30; 自引率：0.0909...; 开源占比：0.0241; 出版撤稿占比：0; 出版国人文章占比：0.12; OA被引用占比：0

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英文简介期刊介绍 CiteScore数据中科院SCI分区 JCR分区发文数据常见问题

英文简介Microelectronics International期刊介绍

Microelectronics International provides an authoritative, international and independent forum for the critical evaluation and dissemination of research and development, applications, processes and current practices relating to advanced packaging, micro-circuit engineering, interconnection, semiconductor technology and systems engineering. It represents a current, comprehensive and practical information tool. The Editor, Dr John Atkinson, welcomes contributions to the journal including technical papers, research papers, case studies and review papers for publication. Please view the Author Guidelines for further details.

Microelectronics International comprises a multi-disciplinary study of the key technologies and related issues associated with the design, manufacture, assembly and various applications of miniaturized electronic devices and advanced packages. Among the broad range of topics covered are:

• Advanced packaging

• Ceramics

• Chip attachment

• Chip on board (COB)

• Chip scale packaging

• Flexible substrates

• MEMS

• Micro-circuit technology

• Microelectronic materials

• Multichip modules (MCMs)

• Organic/polymer electronics

• Printed electronics

• Semiconductor technology

• Solid state sensors

• Thermal management

• Thick/thin film technology

• Wafer scale processing.

期刊简介Microelectronics International期刊介绍

《Microelectronics International》自1982出版以来，是一本工程技术优秀杂志。致力于发表原创科学研究结果，并为工程技术各个领域的原创研究提供一个展示平台，以促进工程技术领域的的进步。该刊鼓励先进的、清晰的阐述，从广泛的视角提供当前感兴趣的研究主题的新见解，或审查多年来某个重要领域的所有重要发展。该期刊特色在于及时报道工程技术领域的最新进展和新发现新突破等。该刊近一年未被列入预警期刊名单，目前已被权威数据库SCIE收录，得到了广泛的认可。

该期刊投稿重要关注点：

预计审稿时间： 12周，或约稿
工程技术
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
SCIE
中科院4区
非预警

Cite Score数据（2024年最新版）Microelectronics International Cite Score数据

CiteScore：1.9
SJR：0.188
SNIP：0.354

学科类别	分区	排名	百分位
大类：Engineering 小类：Electrical and Electronic Engineering	Q3	511 / 797	35%
大类：Engineering 小类：Surfaces, Coatings and Films	Q3	90 / 132	31%
大类：Engineering 小类：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q3	201 / 284	29%
大类：Engineering 小类：Condensed Matter Physics	Q3	308 / 434	29%
大类：Engineering 小类：Atomic and Molecular Physics, and Optics	Q3	163 / 224	27%

CiteScore 是由Elsevier(爱思唯尔)推出的另一种评价期刊影响力的文献计量指标。反映出一家期刊近期发表论文的年篇均引用次数。CiteScore以Scopus数据库中收集的引文为基础，针对的是前四年发表的论文的引文。CiteScore的意义在于，它可以为学术界提供一种新的、更全面、更客观地评价期刊影响力的方法，而不仅仅是通过影响因子(IF)这一单一指标来评价。

历年Cite Score趋势图

中科院SCI分区Microelectronics International 中科院分区

中科院 2023年12月升级版 综述期刊：否 Top期刊：否

大类学科	分区	小类学科	分区
工程技术	4区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学：综合	4区 4区

中科院分区表 是以客观数据为基础，运用科学计量学方法对国际、国内学术期刊依据影响力进行等级划分的期刊评价标准。它为我国科研、教育机构的管理人员、科研工作者提供了一份评价国际学术期刊影响力的参考数据，得到了全国各地高校、科研机构的广泛认可。

中科院分区表 将所有期刊按照一定指标划分为1区、2区、3区、4区四个层次，类似于“优、良、及格”等。最开始，这个分区只是为了方便图书管理及图书情报领域的研究和期刊评估。之后中科院分区逐步发展成为了一种评价学术期刊质量的重要工具。

历年中科院分区趋势图

JCR分区Microelectronics International JCR分区

2023-2024 年最新版

按JIF指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q4	308 / 352	12.6%
学科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY	SCIE	Q4	399 / 438	9%

按JCI指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q4	314 / 354	11.44%
学科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY	SCIE	Q4	383 / 438	12.67%

JCR分区的优势在于它可以帮助读者对学术文献质量进行评估。不同学科的文章引用量可能存在较大的差异，此时单独依靠影响因子(IF)评价期刊的质量可能是存在一定问题的。因此，JCR将期刊按照学科门类和影响因子分为不同的分区，这样读者可以根据自己的研究领域和需求选择合适的期刊。

历年影响因子趋势图

发文数据

2023-2024 年国家/地区发文量统计

国家/地区数量
Poland24
Malaysia19
CHINA MAINLAND12
India9
GERMANY (FED REP GER)4
Iran4
Argentina2
England2
France2
Singapore2

本刊中国学者近年发表论文

1、Experimental study on the fracture behavior variation of the Au stud bump bonding with different high temperature storage times
Author: Zhang, Xiangou; Wang, Yuexing; Sun, Xiangyu; Deng, Zejia; Pu, Yingdong; Zhang, Ping; Huang, Zhiyong; Zhou, Quanfeng

Journal: MICROELECTRONICS INTERNATIONAL. 2023; Vol. , Issue , pp. -. DOI: 10.1108/MI-12-2022-0203
2、Au-coated Ag alloy bonding wires with enhanced oxidation resistance for electronic packaging applications
Author: Xiao, Yuchen; Tang, Huiyi; Zhang, Hehe; Yang, Xiaoling; Sun, Ling; Xie, Yong; Wu, Baoan; Luan, Baifeng; Xie, Weidong; Cai, Xinnan

Journal: MICROELECTRONICS INTERNATIONAL. 2023; Vol. 40, Issue 2, pp. 96-103. DOI: 10.1108/MI-08-2022-0158
3、Effects of Co-60 gamma ray radiation on the transmission characteristics of interconnection structures for 3D packaging
Author: Zhang, Youxin; Liu, Yang; Gao, Rongxing; Zeng, Xianghua; Xue, Yuxiong

Journal: MICROELECTRONICS INTERNATIONAL. 2023; Vol. 40, Issue 2, pp. 109-114. DOI: 10.1108/MI-07-2022-0120
4、W-band antenna in package module with hybrid glass-compound WLFO process
Author: Wang, Gang; Xia, Chenhui; Wang, Bo; Zhao, Xinran; Li, Yang; Yang, Ning

Journal: MICROELECTRONICS INTERNATIONAL. 2023; Vol. 40, Issue 2, pp. 104-108. DOI: 10.1108/MI-06-2022-0111
5、Magnetic alignment technology for wafer bonding
Author: Ye, Lezhi; Song, Xuanjie; Yue, Chang

Journal: MICROELECTRONICS INTERNATIONAL. 2023; Vol. , Issue , pp. -. DOI: 10.1108/MI-08-2022-0160
6、Recent progress on bumpless Cu/SiO2 hybrid bonding for 3D heterogeneous integration
Author: Li, Ge; Kang, Qiushi; Niu, Fanfan; Wang, Chenxi

Journal: MICROELECTRONICS INTERNATIONAL. 2023; Vol. 40, Issue 2, pp. 115-131. DOI: 10.1108/MI-07-2022-0121
7、Effects of interface cracks on reliability of surface mount technology interconnection in service environment
Author: Liu, Shaoyi; Yao, Songjie; Xue, Song; Wang, Benben; Jin, Hui; Pan, Chenghui; Zhang, Yinwei; Zhou, Yijiang; Zeng, Rui; Ping, Lihao; Min, Zhixian; Zhang, Daxing; Wang, Congsi

Journal: MICROELECTRONICS INTERNATIONAL. 2023; Vol. 40, Issue 2, pp. 140-151. DOI: 10.1108/MI-10-2022-0183
8、Facile ligand-exchange strategy to promote low-temperature nano-sintering of oleylamine-capped Ag nanoparticles
Author: Li, Liyun; Zhang, Yu; Xia, Shiyu; Sun, Zhefei; Yuan, Junjie; Su, Dongchuan; Cao, Hunjun; Chai, Xiaoming; Wang, Qingtian; Li, Jintang; Zhang, Zhihao

Journal: MICROELECTRONICS INTERNATIONAL. 2023; Vol. 40, Issue 2, pp. 132-139. DOI: 10.1108/MI-11-2022-0186