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Ieee Transactions On Device And Materials Reliability

Ieee Transactions On Device And Materials ReliabilitySCIE

国际简称:IEEE T DEVICE MAT RE  参考译名:IEEE Transactions on Device and Materials Reliability

  • 中科院分区

    3区

  • CiteScore分区

    Q2

  • JCR分区

    Q2

基本信息:
ISSN:1530-4388
E-ISSN:1558-2574
是否OA:未开放
是否预警:否
TOP期刊:否
出版信息:
出版地区:UNITED STATES
出版商:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
出版语言:English
出版周期:Quarterly
出版年份:2001
研究方向:工程技术-工程:电子与电气
评价信息:
影响因子:2.5
H-index:63
CiteScore指数:4.8
SJR指数:0.436
SNIP指数:1.148
发文数据:
Gold OA文章占比:24.52%
研究类文章占比:97.22%
年发文量:72
自引率:0.05
开源占比:0.057
出版撤稿占比:0
出版国人文章占比:0.14
OA被引用占比:0
英文简介 期刊介绍 CiteScore数据 中科院SCI分区 JCR分区 发文数据 常见问题

英文简介Ieee Transactions On Device And Materials Reliability期刊介绍

The scope of the publication includes, but is not limited to Reliability of: Devices, Materials, Processes, Interfaces, Integrated Microsystems (including MEMS & Sensors), Transistors, Technology (CMOS, BiCMOS, etc.), Integrated Circuits (IC, SSI, MSI, LSI, ULSI, ELSI, etc.), Thin Film Transistor Applications. The measurement and understanding of the reliability of such entities at each phase, from the concept stage through research and development and into manufacturing scale-up, provides the overall database on the reliability of the devices, materials, processes, package and other necessities for the successful introduction of a product to market. This reliability database is the foundation for a quality product, which meets customer expectation. A product so developed has high reliability. High quality will be achieved because product weaknesses will have been found (root cause analysis) and designed out of the final product. This process of ever increasing reliability and quality will result in a superior product. In the end, reliability and quality are not one thing; but in a sense everything, which can be or has to be done to guarantee that the product successfully performs in the field under customer conditions. Our goal is to capture these advances. An additional objective is to focus cross fertilized communication in the state of the art of reliability of electronic materials and devices and provide fundamental understanding of basic phenomena that affect reliability. In addition, the publication is a forum for interdisciplinary studies on reliability. An overall goal is to provide leading edge/state of the art information, which is critically relevant to the creation of reliable products.

期刊简介Ieee Transactions On Device And Materials Reliability期刊介绍

《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》自2001出版以来,是一本工程技术优秀杂志。致力于发表原创科学研究结果,并为工程技术各个领域的原创研究提供一个展示平台,以促进工程技术领域的的进步。该刊鼓励先进的、清晰的阐述,从广泛的视角提供当前感兴趣的研究主题的新见解,或审查多年来某个重要领域的所有重要发展。该期刊特色在于及时报道工程技术领域的最新进展和新发现新突破等。该刊近一年未被列入预警期刊名单,目前已被权威数据库SCIE收录,得到了广泛的认可。

该期刊投稿重要关注点:

Cite Score数据(2024年最新版)Ieee Transactions On Device And Materials Reliability Cite Score数据

  • CiteScore:4.8
  • SJR:0.436
  • SNIP:1.148
学科类别 分区 排名 百分位
大类:Engineering 小类:Safety, Risk, Reliability and Quality Q2 65 / 207

68%

大类:Engineering 小类:Electrical and Electronic Engineering Q2 274 / 797

65%

大类:Engineering 小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 103 / 284

63%

CiteScore 是由Elsevier(爱思唯尔)推出的另一种评价期刊影响力的文献计量指标。反映出一家期刊近期发表论文的年篇均引用次数。CiteScore以Scopus数据库中收集的引文为基础,针对的是前四年发表的论文的引文。CiteScore的意义在于,它可以为学术界提供一种新的、更全面、更客观地评价期刊影响力的方法,而不仅仅是通过影响因子(IF)这一单一指标来评价。

历年Cite Score趋势图

中科院SCI分区Ieee Transactions On Device And Materials Reliability 中科院分区

中科院 2023年12月升级版 综述期刊:否 Top期刊:否
大类学科 分区 小类学科 分区
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 3区 3区

中科院分区表 是以客观数据为基础,运用科学计量学方法对国际、国内学术期刊依据影响力进行等级划分的期刊评价标准。它为我国科研、教育机构的管理人员、科研工作者提供了一份评价国际学术期刊影响力的参考数据,得到了全国各地高校、科研机构的广泛认可。

中科院分区表 将所有期刊按照一定指标划分为1区、2区、3区、4区四个层次,类似于“优、良、及格”等。最开始,这个分区只是为了方便图书管理及图书情报领域的研究和期刊评估。之后中科院分区逐步发展成为了一种评价学术期刊质量的重要工具。

历年中科院分区趋势图

JCR分区Ieee Transactions On Device And Materials Reliability JCR分区

2023-2024 年最新版
按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 165 / 352

53.3%

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 87 / 179

51.7%

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 186 / 354

47.6%

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 99 / 179

44.97%

JCR分区的优势在于它可以帮助读者对学术文献质量进行评估。不同学科的文章引用量可能存在较大的差异,此时单独依靠影响因子(IF)评价期刊的质量可能是存在一定问题的。因此,JCR将期刊按照学科门类和影响因子分为不同的分区,这样读者可以根据自己的研究领域和需求选择合适的期刊。

历年影响因子趋势图

发文数据

2023-2024 年国家/地区发文量统计
  • 国家/地区数量
  • USA52
  • CHINA MAINLAND51
  • India50
  • Taiwan35
  • France20
  • Italy18
  • Belgium15
  • Austria14
  • Japan13
  • GERMANY (FED REP GER)12

本刊中国学者近年发表论文

  • 1、Improved Charge-Trapping Characteristics of ZrO 2 by Al Doping for Nonvolatile Memory Applications

    Author: eexdhuang

    Journal: IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, 2016.

  • 2、Prediction of NBTI Degradation in Dynamic Voltage Frequency Scaling Operations

    Author: xjli

    Journal: IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, 2016.

投稿常见问题

通讯方式:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。