当前位置：首页 SCI期刊 SCIE期刊工程技术中科院1区 JCRQ1 期刊介绍(非官网)

Ieee Journal Of Solid-state CircuitsSCIE

国际简称：IEEE J SOLID-ST CIRC 参考译名：IEEE固态电路杂志

中科院分区
1区
CiteScore分区
Q1
JCR分区
Q1

基本信息：: ISSN：0018-9200; E-ISSN：1558-173X; 是否OA：未开放; 是否预警：否; TOP期刊：是

出版信息：: 出版地区：UNITED STATES; 出版商：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.; 出版语言：English; 出版周期：Monthly; 出版年份：1966; 研究方向：工程技术-工程：电子与电气

评价信息：: 影响因子：4.6; H-index：197; CiteScore指数：11; SJR指数：2.876; SNIP指数：2.612

发文数据：: Gold OA文章占比：13.89%; 研究类文章占比：100.00%; 年发文量：304; 自引率：0.2037...; 开源占比：0.1379; 出版撤稿占比：0; 出版国人文章占比：0.1; OA被引用占比：0

投稿咨询加急见刊

英文简介期刊介绍 CiteScore数据中科院SCI分区 JCR分区发文数据常见问题

英文简介Ieee Journal Of Solid-state Circuits期刊介绍

The IEEE Journal of Solid-State Circuits publishes papers each month in the broad area of solid-state circuits with particular emphasis on transistor-level design of integrated circuits. It also provides coverage of topics such as circuits modeling, technology, systems design, layout, and testing that relate directly to IC design. Integrated circuits and VLSI are of principal interest; material related to discrete circuit design is seldom published. Experimental verification is strongly encouraged.

期刊简介Ieee Journal Of Solid-state Circuits期刊介绍

《Ieee Journal Of Solid-state Circuits》自1966出版以来，是一本工程技术优秀杂志。致力于发表原创科学研究结果，并为工程技术各个领域的原创研究提供一个展示平台，以促进工程技术领域的的进步。该刊鼓励先进的、清晰的阐述，从广泛的视角提供当前感兴趣的研究主题的新见解，或审查多年来某个重要领域的所有重要发展。该期刊特色在于及时报道工程技术领域的最新进展和新发现新突破等。该刊近一年未被列入预警期刊名单，目前已被权威数据库SCIE收录，得到了广泛的认可。

该期刊投稿重要关注点：

预计审稿时间：一般,3-6周
国际TOP期刊
工程技术
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
SCIE
中科院1区
非预警

Cite Score数据（2024年最新版）Ieee Journal Of Solid-state Circuits Cite Score数据

CiteScore：11
SJR：2.876
SNIP：2.612

学科类别	分区	排名	百分位
大类：Engineering 小类：Electrical and Electronic Engineering	Q1	78 / 797	90%

CiteScore 是由Elsevier(爱思唯尔)推出的另一种评价期刊影响力的文献计量指标。反映出一家期刊近期发表论文的年篇均引用次数。CiteScore以Scopus数据库中收集的引文为基础，针对的是前四年发表的论文的引文。CiteScore的意义在于，它可以为学术界提供一种新的、更全面、更客观地评价期刊影响力的方法，而不仅仅是通过影响因子(IF)这一单一指标来评价。

历年Cite Score趋势图

中科院SCI分区Ieee Journal Of Solid-state Circuits 中科院分区

中科院 2023年12月升级版 综述期刊：否 Top期刊：是

大类学科	分区	小类学科	分区
工程技术	1区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	1区

中科院分区表 是以客观数据为基础，运用科学计量学方法对国际、国内学术期刊依据影响力进行等级划分的期刊评价标准。它为我国科研、教育机构的管理人员、科研工作者提供了一份评价国际学术期刊影响力的参考数据，得到了全国各地高校、科研机构的广泛认可。

中科院分区表 将所有期刊按照一定指标划分为1区、2区、3区、4区四个层次，类似于“优、良、及格”等。最开始，这个分区只是为了方便图书管理及图书情报领域的研究和期刊评估。之后中科院分区逐步发展成为了一种评价学术期刊质量的重要工具。

历年中科院分区趋势图

JCR分区Ieee Journal Of Solid-state Circuits JCR分区

2023-2024 年最新版

按JIF指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q1	74 / 352	79.1%

按JCI指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q1	66 / 354	81.5%

JCR分区的优势在于它可以帮助读者对学术文献质量进行评估。不同学科的文章引用量可能存在较大的差异，此时单独依靠影响因子(IF)评价期刊的质量可能是存在一定问题的。因此，JCR将期刊按照学科门类和影响因子分为不同的分区，这样读者可以根据自己的研究领域和需求选择合适的期刊。

历年影响因子趋势图

发文数据

2023-2024 年国家/地区发文量统计

国家/地区数量
USA450
CHINA MAINLAND119
South Korea114
Japan72
Netherlands57
Taiwan57
Belgium50
GERMANY (FED REP GER)40
Canada30
Italy29

本刊中国学者近年发表论文

1、Configurable Hybrid Energy Synchronous Extraction Interface With Serial Stack Resonance for Multi-Source Energy Harvesting
Author: Wang, Xiudeng; Xia, Yinshui; Zhu, Zhangming; Shi, Ge; Xia, Huakang; Ye, Yidie; Chen, Zhidong; Qian, Libo; Liu, Lianxi

Journal: IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS. 2023; Vol. 58, Issue 2, pp. 451-461. DOI: 10.1109/JSSC.2022.3182118
2、A D-Band Joint Radar-Communication CMOS Transceiver
Author: Deng, Wei; Chen, Zipeng; Jia, Haikun; Guan, Pingda; Ma, Taikun; Yan, Angxiao; Sun, Shiyan; Huang, Xiangrong; Chen, Guopei; Ma, Ruichang; Dong, Shengnan; Duan, Luqiang; Wang, Zhihua; Chi, Baoyong

Journal: IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS. 2023; Vol. 58, Issue 2, pp. 411-427. DOI: 10.1109/JSSC.2022.3185160
3、A 60-MS/s 5-MHz BW Noise-Shaping SAR ADC With Integrated Input Buffer Achieving 84.2-dB SNDR and 97.3-dB SFDR Using Dynamic Level-Shifting and ISI-Error Correction
Author: Guo, Yuekang; Jin, Jing; Liu, Xiaoming; Zhou, Jianjun

Journal: IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS. 2023; Vol. 58, Issue 2, pp. 474-485. DOI: 10.1109/JSSC.2022.3185501
4、A 211-to-263-GHz Dual-LC-Tank-Based Broadband Power Amplifier With 14.7-dBm P-SAT and 16.4-dB Peak Gain in 130-nm SiGe BiCMOS
Author: Yu, Jiayang; Chen, Jixin; Zhou, Peigen; Li, Huanbo; Wang, Zuojun; Li, Zekun; Chen, Zhe; Yan, Pinpin; Hou, Debin; Gao, Hao; Hong, Wei

Journal: IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS. 2023; Vol. 58, Issue 2, pp. 332-344. DOI: 10.1109/JSSC.2022.3192043
5、A CMOS Wideband Watt-Level 4096-QAM Digital Power Amplifier Using Reconfigurable Power-Combining Transformer
Author: Yang, Bingzheng; Qian, Huizhen Jenny; Wang, Tianyi; Luo, Xun

Journal: IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS. 2023; Vol. 58, Issue 2, pp. 357-370. DOI: 10.1109/JSSC.2022.3191975
6、A Fully-Integrated Wideband Digital Polar Transmitter With 11-bit Digital-to-Phase Converter in 40nm CMOS
Author: Hu, Chunxiao; Yin, Yun; Li, Tong; Liu, Yangzi; Xiong, Liang; Xu, Hongtao

Journal: IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS. 2023; Vol. 58, Issue 2, pp. 462-473. DOI: 10.1109/JSSC.2022.3192281
7、A 389 TOPS/W, Always ON Region Proposal Integrated Circuit Using In-Memory Computing in 65 nm CMOS
Author: Bose, Sumon Kumar; Basu, Arindam

Journal: IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS. 2023; Vol. 58, Issue 2, pp. 554-568. DOI: 10.1109/JSSC.2022.3194098
8、A Low-Phase-Noise Quad-Core Millimeter-Wave Fundamental VCO Using Circular Triple-Coupled Transformer in 65-nm CMOS
Author: Jia, Haikun; Guan, Pingda; Deng, Wei; Wang, Zhihua; Chi, Baoyong

Journal: IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS. 2023; Vol. 58, Issue 2, pp. 371-385. DOI: 10.1109/JSSC.2022.3196181