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Ieee Electron Device LettersSCIE

国际简称：IEEE ELECTR DEVICE L 参考译名：IEEE 电子器件字母

中科院分区
2区
CiteScore分区
Q1
JCR分区
Q2

基本信息：: ISSN：0741-3106; E-ISSN：1558-0563; 是否OA：未开放; 是否预警：否; TOP期刊：是

出版信息：: 出版地区：UNITED STATES; 出版商：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.; 出版语言：English; 出版周期：Monthly; 出版年份：1980; 研究方向：工程技术-工程：电子与电气

评价信息：: 影响因子：4.1; H-index：135; CiteScore指数：8.2; SJR指数：1.25; SNIP指数：1.5

发文数据：: Gold OA文章占比：4.62%; 研究类文章占比：100.00%; 年发文量：477; 自引率：0.1020...; 开源占比：0.057; 出版撤稿占比：0; 出版国人文章占比：0.35; OA被引用占比：0

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英文简介期刊介绍 CiteScore数据中科院SCI分区 JCR分区发文数据常见问题

英文简介Ieee Electron Device Letters期刊介绍

IEEE Electron Device Letters publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanoelectronics, optoelectronics, photovoltaics, power ICs and micro-sensors.

期刊简介Ieee Electron Device Letters期刊介绍

《Ieee Electron Device Letters》自1980出版以来，是一本工程技术优秀杂志。致力于发表原创科学研究结果，并为工程技术各个领域的原创研究提供一个展示平台，以促进工程技术领域的的进步。该刊鼓励先进的、清晰的阐述，从广泛的视角提供当前感兴趣的研究主题的新见解，或审查多年来某个重要领域的所有重要发展。该期刊特色在于及时报道工程技术领域的最新进展和新发现新突破等。该刊近一年未被列入预警期刊名单，目前已被权威数据库SCIE收录，得到了广泛的认可。

该期刊投稿重要关注点：

预计审稿时间：约1.3个月
国际TOP期刊
工程技术
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
SCIE
中科院2区
非预警

Cite Score数据（2024年最新版）Ieee Electron Device Letters Cite Score数据

CiteScore：8.2
SJR：1.25
SNIP：1.5

学科类别	分区	排名	百分位
大类：Engineering 小类：Electrical and Electronic Engineering	Q1	128 / 797	84%
大类：Engineering 小类：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q1	51 / 284	82%

CiteScore 是由Elsevier(爱思唯尔)推出的另一种评价期刊影响力的文献计量指标。反映出一家期刊近期发表论文的年篇均引用次数。CiteScore以Scopus数据库中收集的引文为基础，针对的是前四年发表的论文的引文。CiteScore的意义在于，它可以为学术界提供一种新的、更全面、更客观地评价期刊影响力的方法，而不仅仅是通过影响因子(IF)这一单一指标来评价。

历年Cite Score趋势图

中科院SCI分区Ieee Electron Device Letters 中科院分区

中科院 2023年12月升级版 综述期刊：否 Top期刊：否

大类学科	分区	小类学科	分区
工程技术	2区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	2区

中科院分区表 是以客观数据为基础，运用科学计量学方法对国际、国内学术期刊依据影响力进行等级划分的期刊评价标准。它为我国科研、教育机构的管理人员、科研工作者提供了一份评价国际学术期刊影响力的参考数据，得到了全国各地高校、科研机构的广泛认可。

中科院分区表 将所有期刊按照一定指标划分为1区、2区、3区、4区四个层次，类似于“优、良、及格”等。最开始，这个分区只是为了方便图书管理及图书情报领域的研究和期刊评估。之后中科院分区逐步发展成为了一种评价学术期刊质量的重要工具。

历年中科院分区趋势图

JCR分区Ieee Electron Device Letters JCR分区

2023-2024 年最新版

按JIF指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	94 / 352	73.4%

按JCI指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q1	77 / 354	78.39%

JCR分区的优势在于它可以帮助读者对学术文献质量进行评估。不同学科的文章引用量可能存在较大的差异，此时单独依靠影响因子(IF)评价期刊的质量可能是存在一定问题的。因此，JCR将期刊按照学科门类和影响因子分为不同的分区，这样读者可以根据自己的研究领域和需求选择合适的期刊。

历年影响因子趋势图

发文数据

2023-2024 年国家/地区发文量统计

国家/地区数量
CHINA MAINLAND577
USA282
South Korea174
Taiwan123
Japan65
England60
India49
Belgium37
GERMANY (FED REP GER)37
France32

本刊中国学者近年发表论文

1、Development of a Cesium Vapor MEMS Cell for Differential Measurement of Microwave Electromagnetically Induced Transparency
Author: Zhu, Jingtong; Zhao, Rui; Li, Zhonghao; Hao, Desheng; Zu, Kaixuan; Shi, Yunbo; Tang, Jun; Liu, Jun

Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. 132-135. DOI: 10.1109/LED.2022.3219922
2、Ultradense One-Memristor Ternary-Content-Addressable Memory Based on Ferroelectric Diodes
Author: Zhang, Zhaohao; Zhang, Fan; Zhang, Yadong; Xu, Gaobo; Wu, Zhenhua; Zhang, Qingzhu; Li, Yongliang; Yin, Huaxiang; Luo, Jun; Wang, Wenwu; Ye, Tianchun

Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. 64-67. DOI: 10.1109/LED.2022.3223335
3、Photolithographic Patterning of Polypyrrole on Elastic Polydimethylsiloxane for Flexible and Conformal Organic Electronics
Author: Zhang, Tao; Wang, Xue; Tong, Yanhong; Sun, Jing; Zhao, Xiaoli; Liu, Xiaoqian; Han, Xu; Tang, Qingxin; Liu, Yichun

Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. 76-79. DOI: 10.1109/LED.2022.3221521
4、Investigation to the Carrier Transport Properties in Heterojunction-Channel Amorphous Oxides Thin-Film Transistors Using Dual-Gate Bias
Author: Yang, Huan; Zhou, Xiaoliang; Lu, Lei; Zhang, Shengdong

Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. 68-71. DOI: 10.1109/LED.2022.3223080
5、An Actively-Passivated p-GaN Gate HEMT With Screening Effect Against Surface Traps
Author: Wu, Yanlin; Wei, Jin; Wang, Maojun; Nuo, Muqin; Yang, Junjie; Lin, Wei; Zheng, Zheyang; Zhang, Li; Hua, Mengyuan; Yang, Xuelin; Hao, Yilong; Chen, Kevin J.; Shen, Bo

Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. 25-28. DOI: 10.1109/LED.2022.3222170
6、Excitation/Inhibition Balancing in 2D Synaptic Transistors With Minority-Carrier Charge Dynamics
Author: Wu, Rongqi; Liu, Xiaochi; Wang, Zhongwang; Jing, Yumei; Yuan, Yahua; Tang, Kui; Dai, Xianfu; Qiu, Aocheng; Jaiswal, Hemendra N.; Sun, Jia; Li, Huamin; Sun, Jian

Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. 156-159. DOI: 10.1109/LED.2022.3224471
7、2.69 kV/2.11 m Omega center dot cm(2) and Low Leakage p-GaN Stripe Array Gated Hybrid Anode Diodes With Low Turn-on Voltage
Author: Wei, Xing; Shen, Wenchao; Zhou, Xin; Tang, Wenbo; Ma, Yongjian; Chen, Tiwei; Wang, Dawei; Fu, Houqiang; Zhang, Xiaodong; Lin, Wenkui; Yu, Guohao; Cai, Yong; Zhang, Baoshun

Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. 13-16. DOI: 10.1109/LED.2022.3220600
8、Low Temperature Cu-Cu Bonding Using an Intermediate Sacrificial Sn Layer
Author: Wang, Zilin; Shi, Yunfan; Wang, Zheyao

Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. 116-119. DOI: 10.1109/LED.2022.3221375