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Journal Of Crystal GrowthSCIE

国际简称：J CRYST GROWTH 参考译名：晶体生长杂志

中科院分区
4区
CiteScore分区
Q2
JCR分区
Q3

基本信息：: ISSN：0022-0248; E-ISSN：1873-5002; 是否OA：未开放; 是否预警：否; TOP期刊：否

出版信息：: 出版地区：NETHERLANDS; 出版商：Elsevier; 出版语言：Multi-Language; 出版周期：Biweekly; 出版年份：1967; 研究方向：化学-晶体学

评价信息：: 影响因子：1.7; H-index：136; CiteScore指数：3.6; SJR指数：0.379; SNIP指数：0.768

发文数据：: Gold OA文章占比：16.22%; 研究类文章占比：100.00%; 年发文量：306; 自引率：0.1111...; 开源占比：0.0379; 出版撤稿占比：0; 出版国人文章占比：0.24; OA被引用占比：0.0202...

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英文简介期刊介绍 CiteScore数据中科院SCI分区 JCR分区发文数据常见问题

英文简介Journal Of Crystal Growth期刊介绍

The journal offers a common reference and publication source for workers engaged in research on the experimental and theoretical aspects of crystal growth and its applications, e.g. in devices. Experimental and theoretical contributions are published in the following fields: theory of nucleation and growth, molecular kinetics and transport phenomena, crystallization in viscous media such as polymers and glasses; crystal growth of metals, minerals, semiconductors, superconductors, magnetics, inorganic, organic and biological substances in bulk or as thin films; molecular beam epitaxy, chemical vapor deposition, growth of III-V and II-VI and other semiconductors; characterization of single crystals by physical and chemical methods; apparatus, instrumentation and techniques for crystal growth, and purification methods; multilayer heterostructures and their characterisation with an emphasis on crystal growth and epitaxial aspects of electronic materials. A special feature of the journal is the periodic inclusion of proceedings of symposia and conferences on relevant aspects of crystal growth.

期刊简介Journal Of Crystal Growth期刊介绍

《Journal Of Crystal Growth》自1967出版以来，是一本材料科学优秀杂志。致力于发表原创科学研究结果，并为材料科学各个领域的原创研究提供一个展示平台，以促进材料科学领域的的进步。该刊鼓励先进的、清晰的阐述，从广泛的视角提供当前感兴趣的研究主题的新见解，或审查多年来某个重要领域的所有重要发展。该期刊特色在于及时报道材料科学领域的最新进展和新发现新突破等。该刊近一年未被列入预警期刊名单，目前已被权威数据库SCIE收录，得到了广泛的认可。

该期刊投稿重要关注点：

预计审稿时间：约2.6个月约10周
材料科学
CRYSTALLOGRAPHY
SCIE
中科院4区
非预警

Cite Score数据（2024年最新版）Journal Of Crystal Growth Cite Score数据

CiteScore：3.6
SJR：0.379
SNIP：0.768

学科类别	分区	排名	百分位
大类：Physics and Astronomy 小类：Condensed Matter Physics	Q2	205 / 434	52%
大类：Physics and Astronomy 小类：Inorganic Chemistry	Q2	40 / 79	50%
大类：Physics and Astronomy 小类：Materials Chemistry	Q3	162 / 317	49%

CiteScore 是由Elsevier(爱思唯尔)推出的另一种评价期刊影响力的文献计量指标。反映出一家期刊近期发表论文的年篇均引用次数。CiteScore以Scopus数据库中收集的引文为基础，针对的是前四年发表的论文的引文。CiteScore的意义在于，它可以为学术界提供一种新的、更全面、更客观地评价期刊影响力的方法，而不仅仅是通过影响因子(IF)这一单一指标来评价。

历年Cite Score趋势图

中科院SCI分区Journal Of Crystal Growth 中科院分区

中科院 2023年12月升级版 综述期刊：否 Top期刊：否

大类学科	分区	小类学科	分区
材料科学	4区	CRYSTALLOGRAPHY 晶体学 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学：综合 PHYSICS, APPLIED 物理：应用	3区 4区 4区

中科院分区表 是以客观数据为基础，运用科学计量学方法对国际、国内学术期刊依据影响力进行等级划分的期刊评价标准。它为我国科研、教育机构的管理人员、科研工作者提供了一份评价国际学术期刊影响力的参考数据，得到了全国各地高校、科研机构的广泛认可。

中科院分区表 将所有期刊按照一定指标划分为1区、2区、3区、4区四个层次，类似于“优、良、及格”等。最开始，这个分区只是为了方便图书管理及图书情报领域的研究和期刊评估。之后中科院分区逐步发展成为了一种评价学术期刊质量的重要工具。

历年中科院分区趋势图

JCR分区Journal Of Crystal Growth JCR分区

2023-2024 年最新版

按JIF指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：CRYSTALLOGRAPHY	SCIE	Q3	17 / 33	50%
学科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY	SCIE	Q3	321 / 438	26.8%
学科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q3	125 / 179	30.4%

按JCI指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：CRYSTALLOGRAPHY	SCIE	Q3	19 / 33	43.94%
学科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY	SCIE	Q3	249 / 438	43.26%
学科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q3	104 / 179	42.18%

JCR分区的优势在于它可以帮助读者对学术文献质量进行评估。不同学科的文章引用量可能存在较大的差异，此时单独依靠影响因子(IF)评价期刊的质量可能是存在一定问题的。因此，JCR将期刊按照学科门类和影响因子分为不同的分区，这样读者可以根据自己的研究领域和需求选择合适的期刊。

历年影响因子趋势图

发文数据

2023-2024 年国家/地区发文量统计

国家/地区数量
CHINA MAINLAND389
Japan241
USA197
GERMANY (FED REP GER)136
Russia105
France72
India69
Taiwan33
Canada32
Poland31

本刊中国学者近年发表论文

1、Growth of 4H-SiC epitaxial layers at temperatures below 1500 degrees C using trichlorosilane (TCS)
Author: Yang, Shangyu; Zhao, Siqi; Chen, Junhong; Yan, Guoguo; Shen, Zhanwei; Zhao, Wanshun; Wang, Lei; Zhang, Yang; Liu, Xingfang; Sun, Guosheng; Zeng, Yiping

Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2023; Vol. 612, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.127058
2、Biomineralization inspired crystal growth for biomimetic materials preparation
Author: Wang, Yihua; Liu, Zhaoming; Pan, Haihua; Tang, Ruikang

Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2023; Vol. 603, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.127029
3、Green synthesis of NdOHCO3 via a carbon dioxide carbonatation process in mild conditions
Author: Hua, Yong; Wang, Dong; Cui, Zhenjie; Guo, Jianwei; Cao, Jianwei; Wang, Zhi

Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2023; Vol. 613, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2023.127211
4、Nonisothermal crystallization kinetics of potassium chloride produced by stirred crystallization
Author: Zheng, Dan; Xu, Menglin; Wang, Jiao; Ma, Yulan; Tian, Yongqi; Shen, Yueqiu; Wu, Xieping; Yang, Meihui

Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2023; Vol. 603, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.127035
5、Numerical simulation of flow and mass transfer during growth of the long seed KDP crystals under 2D translation method
Author: Liu, Hang; Li, Mingwei; Chen, Duanyang; Qi, Hongji; Hu, Yue; Chen, Shuxian; Xiao, Yi

Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2023; Vol. 603, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.127026
6、Estimation of hole mobility in hydrogen-terminated diamond MOSFET with high-k stacked gate dielectrics
Author: Li, Yao; Wang, Xi; Pu, Hongbin

Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2023; Vol. 603, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.127010
7、Direct comparison of silicon carbide and silicon diode avalanche shaper in multi-pulse applications
Author: Guo, Dengyao; Zhou, Yu; Tang, Xiaoyan; Zhang, Yuming

Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2023; Vol. 603, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.127007
8、Epitaxy of tungsten on polycrystalline molybdenum using chemical vapor transport deposition technology
Author: Xie, Yajuan; Tan, Chengwen; Yu, Xiaodong; Zhu, Hao; Nie, Zhihua

Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2023; Vol. 603, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.127046