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固体电子学研究与进展杂志

固体电子学研究与进展杂志北大期刊统计源期刊

Research & Progress of SSE Solid State Electronics

主管单位:中国电子科技集团公司 主办单位:南京电子器件研究所

  • 审稿周期

    1-3个月

  • 影响因子

    0.43

  • 发文量

    1277

  • 总被引次数

    2651

  • 全年订价

    ¥ 220.00

  • H指数

    13

  • 立即指数

    0.0082

  • 引用半衰期

    3.7381

  • 期刊他引率

    0.837

  • 平均引文率

    7.9426

基本信息:
ISSN:1000-3819
CN:32-1110/TN
主编:杨乃彬
邮编:210016
出版信息:
出版地区:江苏
出版周期:双月刊
出版语言:中文
创刊时间:1981
类别:电子
收录信息:
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荣誉信息:
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期刊介绍 历史收录 投稿须知 评价报告 文献分析 发文分析 期刊文献 常见问题

固体电子学研究与进展期刊介绍

《固体电子学研究与进展》是由南京电子器件研究所主办,中国电子科技集团公司主管的全国性电子类期刊,创刊于1981年,刊号(CN 32-1110/TN,ISSN 1000-3819),全年定价:220.00元/期,双月刊。该杂志以刊登电子科学论文、评价电子科研成果、探讨电子教学规律、传播电子教学经验、开展电子学术讨论、报道电子研究动态、提供国内外电子信息为主旨,引领电子前沿和热难点问题研究,助电子经学者成长。该刊级别为北大期刊,统计源期刊,欢迎广大读者订阅。

《固体电子学研究与进展》期刊栏目主要有:三维集成射频微系统(专栏) 器件物理与器件模拟 射频微波与太赫兹 光电子学 硅微电子学 材料与工艺 研究简讯

固体电子学研究与进展历史收录情况

  • 北大核心期刊(2020版)
  • 北大核心期刊(2017版)
  • 北大核心期刊(2014版)
  • 北大核心期刊(2011版)
  • 北大核心期刊(2008版)
  • 北大核心期刊(2000版)
  • 北大核心期刊(1996版)
  • 北大核心期刊(1992版)
  • 中国科技核心期刊
  • 中国科学引文数据库-核心(2011-2012)
  • 中国科学引文数据库-扩展(2017-2018)
  • 中国科学引文数据库-扩展(2015-2016)
  • 中国科学引文数据库-扩展(2013-2014)
  • Scopus数据库(2020)
  • 日本科学技术振兴机构数据库
  • 哥白尼索引
  • 化学文摘(网络版)

固体电子学研究与进展投稿须知

(1)文献引证方式采用注释体例。注释用尾注,置于文末。

(2)作者简介在稿件首页地脚。顺序列出:姓名(出生年-),性别(民族),籍贯,工作单位及职务,职称,学位,学术简历及研究方向。

(3)中文摘要为150-300字。摘要的内容应包括目的、方法、实验结果和结论;综述性、评论性文章可写指示性摘要。摘要中不应出现“本文、我们、作者”之类的词语。

(4)自投稿之日起3个月内未接到用稿通知,请自行处理文稿。切忌一稿多投。来稿一般不退,敬请谅解。

(5)来稿若为课题研究成果,则凡被省级以上单位正式立项的课题,应在文中标明课题的立项单位、级别、时间和编号等信息。

固体电子学研究与进展期刊评价报告

年度 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022
影响因子 224 239 244 260 248 207 261 265
立即指数 0.29 0.2 0.22 0.28 0.29 0.28 0.43 0.44
发文量 0.02 0.02 0.05 0.04 0.01 0.07 0.09 0.07
引用半衰期 7.6 2.6 10 10.9 11.6 12.3 13.9 12.3
被引半衰期 0.75 0.82 0.85 0.82 0.83 0.82 0.86 0.84
被引次数 118 105 88 85 87 85 85 90
期刊他引率 4.7 5.88 5.06 5.52 5.24 5.36 5.36 4.75
平均引文率 4.26 5.04 5.39 5.42 5.65 5.35 5.17 4.98

固体电子学研究与进展文献分析

1、主要引证文献期刊分析

序号 期刊 涉及文献量
1 《半导体技术》 209
2 《微电子学》 151
3 《Journal of Semiconductors》 113
4 《电子与封装》 109
5 《电子器件》 85
6 《电子元件与材料》 78
7 《现代电子技术》 57
8 《微电子学与计算机》 54
9 《电子设计工程》 53
10 《微纳电子技术》 49

2、主要参考文献期刊分析

序号 期刊 涉及文献量
1 《Journal of Semiconductors》 297
2 《半导体技术》 144
3 《物理学报》 132
4 《微电子学》 109
5 《电子学报》 105
6 《微波学报》 85
7 《电子与封装》 67
8 《电子器件》 55
9 《电子元件与材料》 50
10 《Chinese Physics B》 39

固体电子学研究与进展主要发文机构分析

序号 机构名称 发文量 相关发文主题
1 南京电子器件研究所 925 晶体管;电路;放大器;单片;GAAS
2 东南大学 317 电路;半导体;放大器;晶体管;集成电路
3 复旦大学 231 电路;功耗;集成电路;低功耗;半导体
4 中国科学院 148 晶体管;半导体;分子束;分子束外延;异质结
5 西安电子科技大学 116 半导体;电路;金属氧化物半导体;晶体管;碳化硅
6 浙江大学 77 电路;半导体;芯片;金属氧化物半导体;低功耗
7 清华大学 70 电路;集成电路;计算机;半导体;GAAS
8 天津大学 69 隧穿;电路;晶体管;共振隧穿;负阻
9 南京大学 68 发光;半导体;纳米;氮化镓;GAN
10 中国科学院微电子研究所 68 电路;低噪;低噪声;晶体管;CMOS

固体电子学研究与进展期刊文献

  • GaN HFET沟道中的强场峰和场效应管能带 作者:薛舫时; 孔月婵;微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室、南京电子器件研究所; 南京210016
  • P波段1500W GaN功率管设计 作者:王琪; 王建浩; 陈韬; 杨建; 李相光; 周书同;南京电子器件研究所; 南京210016
  • Ku波段宽带GaN固态功率放大器 作者:喻先卫; 王仁军; 韩煦; 徐建华; 成海峰;南京电子器件研究所; 南京210016
  • 基于ANSYS及MATLAB的温度场分布对半桥型IGBT器件的影响 作者:方佳怡; 刘宪云; 夏丽; 李磊;常州大学数理学院; 江苏常州213164
  • 基于忆阻器超混沌系统的动力学分析及电路实现 作者:仇睿煌; 蔡理; 冯朝文; 杨晓阔;空军工程大学; 西安710051
  • 基片集成波导限幅器的设计 作者:王元庆; 刘蕾蕾;南京电子器件研究所; 南京210016; 南京邮电大学; 南京210003
  • 超宽带小型印刷对数周期天线设计 作者:李振亚; 竺小松; 张建华;国防科技大学电子对抗学院; 合肥230037
  • 一种基于LTCC技术的高性能微型巴伦滤波器的设计 作者:庄智强; 戴永胜;南京理工大学电子工程与光电技术学院; 南京210094

投稿常见问题

,地址:南京1601信箱43分箱,邮编:210016。